casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MJD31CITU
codice articolo del costruttore | MJD31CITU |
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Numero di parte futuro | FT-MJD31CITU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJD31CITU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 3A, 4V |
Potenza - Max | 1.56W |
Frequenza - Transizione | 3MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD31CITU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MJD31CITU-FT |
KSD568OTU
ON Semiconductor
KSD568RTU
ON Semiconductor
KSD568YTU
ON Semiconductor
KSD569OTU
ON Semiconductor
KSD569RTU
ON Semiconductor
KSD569YTU
ON Semiconductor
KSD73O
ON Semiconductor
KSD73Y
ON Semiconductor
KSD73YTSTU
ON Semiconductor
KSD73YTU
ON Semiconductor
AGL030V2-QNG68
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M2GL050T-FGG484I
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