casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MJD253-001
codice articolo del costruttore | MJD253-001 |
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Numero di parte futuro | FT-MJD253-001 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJD253-001 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 4A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 200mA, 1V |
Potenza - Max | 1.4W |
Frequenza - Transizione | 40MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD253-001 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MJD253-001-FT |
NJVMJD31CRLG
ON Semiconductor
NJD1718T4G
ON Semiconductor
BUD42D
ON Semiconductor
BUD42D-001
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BUD42D-1G
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BUD42DT4
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BUD42DT4G
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MJD112RL
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MJD117
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LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010TS-1VFG400I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQI
Microchip Technology
EP1SGX25DF672I6
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