casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MJD200T4G
codice articolo del costruttore | MJD200T4G |
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Numero di parte futuro | FT-MJD200T4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJD200T4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1A, 5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 45 @ 2A, 1V |
Potenza - Max | 1.4W |
Frequenza - Transizione | 65MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD200T4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MJD200T4G-FT |
NSVBC847BTT1G
ON Semiconductor
2SA1774T1
ON Semiconductor
2SC4617
ON Semiconductor
2SC4617G
ON Semiconductor
2SC4617T1
ON Semiconductor
2SC4617T1G
ON Semiconductor
BC847BTT1
ON Semiconductor
BC847CTT1
ON Semiconductor
BC847CTT1G
ON Semiconductor
BC857BTT1
ON Semiconductor
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1PQ208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40U484I7
Intel
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
5SGXEA7H3F35I3L
Intel
XC7VX485T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
ICE40LM1K-CM49
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290HF35C3
Intel