casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MJD128T4G
codice articolo del costruttore | MJD128T4G |
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Numero di parte futuro | FT-MJD128T4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJD128T4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 80mA, 8A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 4A, 4V |
Potenza - Max | 1.75W |
Frequenza - Transizione | 4MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD128T4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MJD128T4G-FT |
BC847CWT1
ON Semiconductor
BC848BWT1
ON Semiconductor
BC857BWT1
ON Semiconductor
BC857CWT1
ON Semiconductor
BC858AWT1
ON Semiconductor
BC858BWT1
ON Semiconductor
MMBT2222AWT1
ON Semiconductor
MMBT2907AWT1
ON Semiconductor
MMBT3904WT1
ON Semiconductor
MMBT3906WT1
ON Semiconductor
A3P060-VQG100T
Microsemi Corporation
AT6005-4AC
Microchip Technology
EP4CGX30CF23C6
Intel
EP4CE6F17A7N
Intel
EP3C10U256C8
Intel
5SGXEA5K1F40I2N
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
LFE2-35E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation