casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MJD128T4G
codice articolo del costruttore | MJD128T4G |
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Numero di parte futuro | FT-MJD128T4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJD128T4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 80mA, 8A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 4A, 4V |
Potenza - Max | 1.75W |
Frequenza - Transizione | 4MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD128T4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MJD128T4G-FT |
BC847CWT1
ON Semiconductor
BC848BWT1
ON Semiconductor
BC857BWT1
ON Semiconductor
BC857CWT1
ON Semiconductor
BC858AWT1
ON Semiconductor
BC858BWT1
ON Semiconductor
MMBT2222AWT1
ON Semiconductor
MMBT2907AWT1
ON Semiconductor
MMBT3904WT1
ON Semiconductor
MMBT3906WT1
ON Semiconductor
XC3S2000-5FGG900C
Xilinx Inc.
XC2S15-6VQ100C
Xilinx Inc.
XCS10-3VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL025-1FCSG325
Microsemi Corporation
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A40MX02-3PLG68I
Microsemi Corporation
EP1S25F780I6N
Intel
EP20K400BC652-1
Intel
EP2S180F1020I4
Intel