casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MJD112-001
codice articolo del costruttore | MJD112-001 |
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Numero di parte futuro | FT-MJD112-001 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJD112-001 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 20µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Potenza - Max | 1.75W |
Frequenza - Transizione | 25MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD112-001 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MJD112-001-FT |
NJVMJD42CRLG
ON Semiconductor
NJVMJD6039T4G
ON Semiconductor
NJVMJD31CRLG
ON Semiconductor
NJD1718T4G
ON Semiconductor
BUD42D
ON Semiconductor
BUD42D-001
ON Semiconductor
BUD42D-1G
ON Semiconductor
BUD42DG
ON Semiconductor
BUD42DT4
ON Semiconductor
BUD42DT4G
ON Semiconductor
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
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10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel