casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MJ14002G
codice articolo del costruttore | MJ14002G |
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Numero di parte futuro | FT-MJ14002G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJ14002G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 60A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 12A, 60A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 50A, 3V |
Potenza - Max | 300W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-204AE |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJ14002G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MJ14002G-FT |
2N4919
ON Semiconductor
2N4921
ON Semiconductor
2N5190
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2N5194G
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2N5655
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2N5655G
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2N6034
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2N6038
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BD137
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BD138
ON Semiconductor
XC4005XL-3TQ144C
Xilinx Inc.
ICE40LM1K-SWG25TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100I
Microsemi Corporation
5CEFA7F27C6N
Intel
EP4CE6E22I8LN
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5CGXFC5F6M11C6N
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EP3SL110F1152C4LN
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5AGXFA7H4F35I3N
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