casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MJ11022G
codice articolo del costruttore | MJ11022G |
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Numero di parte futuro | FT-MJ11022G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJ11022G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 15A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 250V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3.4V @ 150mA, 15A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 400 @ 10A, 5V |
Potenza - Max | 175W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-204AA, TO-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-204 (TO-3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJ11022G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MJ11022G-FT |
MJE340G
ON Semiconductor
2N4923G
ON Semiconductor
MJE350G
ON Semiconductor
BD677AG
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MJE182G
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BD234G
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MJE700G
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MJE270G
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A40MX04-VQG80M
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A54SX32-1TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-5T144C
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XC3S1200E-5FTG256C
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XC7A35T-1FT256I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-4300C-6BG400C
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LFEC3E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200QI240-3
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EPF10K10QC208-4
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EP1S40F1020C5
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