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MHE1003NR3 Image

NXP USA Inc. MHE1003NR3

Numero parte MFG
MHE1003NR3
quantità disponibile
30360 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 104.156224
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Data di spedizione
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fabbricante
NXP USA Inc.
Breve descrizione
- RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - RF
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
MHE1003NR3.pdf
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MHE1003NR3 specificazioni

codice articolo del costruttore MHE1003NR3
Numero di parte futuro FT-MHE1003NR3
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
MHE1003NR3 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Transistor Type LDMOS
Frequenza 2.4GHz ~ 2.5GHz
Guadagno 14.1dB
Tensione - Test 28V
Valutazione attuale 10µA
Figura di rumore -
Corrente - Test 50mA
Potenza - Uscita 53dBm
Tensione: nominale 65V
Pacchetto / caso OM-780-2
Pacchetto dispositivo fornitore OM-780-2
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MHE1003NR3 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio MHE1003NR3-FT

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