casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / MGV252012S1R0M-10
codice articolo del costruttore | MGV252012S1R0M-10 |
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Numero di parte futuro | FT-MGV252012S1R0M-10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MGV |
MGV252012S1R0M-10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Molded |
Materiale: core | - |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 3.9A |
Corrente - Saturazione | 4.3A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 44 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MGV252012S1R0M-10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MGV252012S1R0M-10-FT |
AIUR-06-681K
Abracon LLC
AIUR-06-121K
Abracon LLC
AIUR-06-560K
Abracon LLC
AIUR-06-680K
Abracon LLC
AIUR-06-562K
Abracon LLC
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Abracon LLC
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Abracon LLC
AIUR-06-221K
Abracon LLC
AIUR-06-821K
Abracon LLC
AIUR-06-120K
Abracon LLC
XC6SLX100-N3FG676I
Xilinx Inc.
5SGXEA5N3F40I4N
Intel
XC5VLX85T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FFG672I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB5H4F35I3N
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EP4CE75F29I7N
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EP20K100EQC208-1X
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Intel