casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / MGV252012R68M-10
codice articolo del costruttore | MGV252012R68M-10 |
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Numero di parte futuro | FT-MGV252012R68M-10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MGV |
MGV252012R68M-10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Molded |
Materiale: core | - |
Induttanza | 680nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 3.7A |
Corrente - Saturazione | 5A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 35 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MGV252012R68M-10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MGV252012R68M-10-FT |
AIUR-05-471K
Abracon LLC
AIUR-05-151K
Abracon LLC
AIUR-05-221K
Abracon LLC
AIUR-05-3R3M
Abracon LLC
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Abracon LLC
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Abracon LLC
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Abracon LLC
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Abracon LLC
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Abracon LLC
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Abracon LLC
XC3S700A-4FG400C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256B
Microsemi Corporation
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEB6R3F40C2N
Intel
10AX048E4F29E3LG
Intel
LFXP2-5E-6FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34I3SGES
Intel
EP1S80F1508C7N
Intel