casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / MGV1004100M-12
codice articolo del costruttore | MGV1004100M-12 |
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Numero di parte futuro | FT-MGV1004100M-12 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MGV |
MGV1004100M-12 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Molded |
Materiale: core | - |
Induttanza | 10µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 7.5A |
Corrente - Saturazione | 12A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 30 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.433" L x 0.394" W (11.00mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.173" (4.40mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MGV1004100M-12 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MGV1004100M-12-FT |
IMC0402ER33NJ01
Vishay Dale
IMC0402ER36NG01
Vishay Dale
IMC0402ER36NJ01
Vishay Dale
IMC0402ER39NG01
Vishay Dale
IMC0402ER39NJ01
Vishay Dale
IMC0402ER3N3C01
Vishay Dale
IMC0402ER3N3S01
Vishay Dale
IMC0402ER3N6C01
Vishay Dale
IMC0402ER3N6S01
Vishay Dale
IMC0402ER3N9C01
Vishay Dale
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel