casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / MGV0625R10N-10
codice articolo del costruttore | MGV0625R10N-10 |
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Numero di parte futuro | FT-MGV0625R10N-10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MGV |
MGV0625R10N-10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Molded |
Materiale: core | - |
Induttanza | 100nH |
Tolleranza | ±30% |
Valutazione attuale | 30A |
Corrente - Saturazione | 70A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 1.7 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.283" L x 0.264" W (7.20mm x 6.70mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.110" (2.80mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MGV0625R10N-10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MGV0625R10N-10-FT |
0530CDMCCDS-6R8MC
Sumida America Components Inc.
0530CDMCCDS-R20MC
Sumida America Components Inc.
36501E5N1JTDG
TE Connectivity Passive Product
36501JR26JTDG
TE Connectivity Passive Product
36502A1R5JTDG
TE Connectivity Passive Product
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TE Connectivity Passive Product
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TE Connectivity Passive Product
EP1K50FC484-1N
Intel
XC4028XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05LV-3AJI
Microchip Technology
10AX066K2F35I2SGES
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10AX090H1F34I1SG
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5AGXBB1D4F35I5N
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EPF10K10QC208-4
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