casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / MGV06258R2M-10
codice articolo del costruttore | MGV06258R2M-10 |
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Numero di parte futuro | FT-MGV06258R2M-10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MGV |
MGV06258R2M-10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Molded |
Materiale: core | - |
Induttanza | 8.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 3A |
Corrente - Saturazione | 7A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 106 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.287" L x 0.264" W (7.30mm x 6.70mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.110" (2.80mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MGV06258R2M-10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MGV06258R2M-10-FT |
TYS30154R7M-10
Laird-Signal Integrity Products
TYS3012101M-10
Laird-Signal Integrity Products
TYS3012680M-10
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TYS30121R0N-10
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TYS3012220M-10
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TYS30122R2N-10
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TYS3012330M-10
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TYS3012470M-10
Laird-Signal Integrity Products
XC3S1200E-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE6E22A7N
Intel
5SGXMA9N2F45I2LN
Intel
5SGXMA4K3F35I3LN
Intel
XA7A75T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F45E3LG
Intel
EPF10K30RI240-4N
Intel