casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / MGV0603R22M-10
codice articolo del costruttore | MGV0603R22M-10 |
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Numero di parte futuro | FT-MGV0603R22M-10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MGV |
MGV0603R22M-10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Molded |
Materiale: core | - |
Induttanza | 220nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 23A |
Corrente - Saturazione | 40A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 2.8 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.287" L x 0.264" W (7.30mm x 6.70mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.130" (3.30mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MGV0603R22M-10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MGV0603R22M-10-FT |
MGV12034R7M-10
Laird-Signal Integrity Products
MGV0625R82M-10
Laird-Signal Integrity Products
MGV12051R5M-10
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MGV12055R6M-10
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MGV12056R8M-10
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MGV1205R22M-10
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XC3S700A-4FG400C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256B
Microsemi Corporation
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Intel
5SGXEB6R3F40C2N
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10AX048E4F29E3LG
Intel
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Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34I3SGES
Intel
EP1S80F1508C7N
Intel