casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / MGV0503R82M-10
codice articolo del costruttore | MGV0503R82M-10 |
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Numero di parte futuro | FT-MGV0503R82M-10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MGV |
MGV0503R82M-10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Molded |
Materiale: core | - |
Induttanza | 820nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 9.3A |
Corrente - Saturazione | 13A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 11.9 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.217" L x 0.201" W (5.50mm x 5.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.130" (3.30mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MGV0503R82M-10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MGV0503R82M-10-FT |
MGV12071R2M-10
Laird-Signal Integrity Products
MGV06021R0M-10
Laird-Signal Integrity Products
MGV06022R2M-10
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MGV06023R3M-10
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MGV0602R33M-10
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MGV0602R47M-10
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MGV0602R68M-10
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MGV06251R0M-10
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MGV06252R2M-10
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MGV06254R7M-10
Laird-Signal Integrity Products
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel