casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / MGV05032R2M-10
codice articolo del costruttore | MGV05032R2M-10 |
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Numero di parte futuro | FT-MGV05032R2M-10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MGV |
MGV05032R2M-10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Molded |
Materiale: core | - |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 5.8A |
Corrente - Saturazione | 10A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 29.2 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.217" L x 0.201" W (5.50mm x 5.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.130" (3.30mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MGV05032R2M-10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MGV05032R2M-10-FT |
MGV06056R8M-10
Laird-Signal Integrity Products
MGV1205R82M-10
Laird-Signal Integrity Products
MGV12057R8M-10
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Laird-Signal Integrity Products
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XC4006E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF8820ARC208-2
Intel
EP1S40F1020C6
Intel