casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / MGV0502R47M-10
codice articolo del costruttore | MGV0502R47M-10 |
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Numero di parte futuro | FT-MGV0502R47M-10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MGV |
MGV0502R47M-10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Molded |
Materiale: core | - |
Induttanza | 470nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 11.5A |
Corrente - Saturazione | 21A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 9.4 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.217" L x 0.201" W (5.50mm x 5.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.091" (2.30mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MGV0502R47M-10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MGV0502R47M-10-FT |
MGV06053R3M-10
Laird-Signal Integrity Products
MGV06058R2M-10
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MGV0605R68M-10
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LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel