casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / MGM3JT150M
codice articolo del costruttore | MGM3JT150M |
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Numero di parte futuro | FT-MGM3JT150M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MGM |
MGM3JT150M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 150 MOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 3W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Flame Retardant Coating, High Voltage, Moisture Resistant, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.197" Dia x 0.610" L (5.00mm x 15.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MGM3JT150M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MGM3JT150M-FT |
MG12JA10M0
Stackpole Electronics Inc
MG12JA1M00
Stackpole Electronics Inc
MG12JT100M
Stackpole Electronics Inc
MG12JT15M0
Stackpole Electronics Inc
MG12JT1M20
Stackpole Electronics Inc
MG12JT33M0
Stackpole Electronics Inc
MG12JT50M0
Stackpole Electronics Inc
MG14FA1M00
Stackpole Electronics Inc
MG14FT100M
Stackpole Electronics Inc
MG14FT10M0
Stackpole Electronics Inc
LCMXO2-640HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-8FG900C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
AT40K05-2DQI
Microchip Technology
10M08SCU169I7G
Intel
10AX048K2F35I2SG
Intel
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel