casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / MGD623N
codice articolo del costruttore | MGD623N |
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Numero di parte futuro | FT-MGD623N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MGD623N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 100A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 50A |
Potenza - Max | 150W |
Cambiare energia | - |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | - |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 75ns/300ns |
Condizione di test | 300V, 50A, 39 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 300ns |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-3P-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MGD623N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MGD623N-FT |
STGB3NB60KDT4
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