casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MG800J2YS50A
codice articolo del costruttore | MG800J2YS50A |
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Numero di parte futuro | FT-MG800J2YS50A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IGBTMOD™ |
MG800J2YS50A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 800A |
Potenza - Max | 2900W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 800A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 93nF @ 10V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -20°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG800J2YS50A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MG800J2YS50A-FT |
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