casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MG1750S-BN4MM
codice articolo del costruttore | MG1750S-BN4MM |
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Numero di parte futuro | FT-MG1750S-BN4MM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MG1750S-BN4MM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 75A |
Potenza - Max | 320W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 50A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 3mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 4.5nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | S-3 Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | S3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG1750S-BN4MM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MG1750S-BN4MM-FT |
FZ3600R17HP4HOSA2
Infineon Technologies
FP15R12W1T4PB11BPSA1
Infineon Technologies
DF160R12W2H3_B11
Infineon Technologies
VS-70MT060WSP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-100MT060WDF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-100MT060WSP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-150MT060WDF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20MT120UFAPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20MT120UFP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25MT060WFAPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICE65L01F-LCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08-1VQG100
Microsemi Corporation
EP20K60EFC144-1X
Intel
XC4010XL-3BG256C
Xilinx Inc.
XCV150-4BG256C
Xilinx Inc.
XC2VP40-6FF1148I
Xilinx Inc.
5AGXBA7D4F31C4N
Intel
EP20K200EQI240-2N
Intel
EPF10K50VQC240-2N
Intel