casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MG12450WB-BN2MM
codice articolo del costruttore | MG12450WB-BN2MM |
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Numero di parte futuro | FT-MG12450WB-BN2MM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MG12450WB-BN2MM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600A |
Potenza - Max | 1950W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 450A (Typ) |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 32nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | WB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG12450WB-BN2MM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MG12450WB-BN2MM-FT |
APTGF300A120G
Microsemi Corporation
APTGF300A120D3G
Microsemi Corporation
APTGF25H120T1G
Microsemi Corporation
APTGF180H60G
Microsemi Corporation
APTGF180DH60G
Microsemi Corporation
APTGF165A60D1G
Microsemi Corporation
APTGF150H120G
Microsemi Corporation
APTGF150DU120TG
Microsemi Corporation
APTGF150DA120TG
Microsemi Corporation
APTGF150A120TG
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQ100
Microsemi Corporation
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC2VP30-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A100T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA5H4F35I3N
Intel
10AX016E4F27E3SG
Intel