casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MG12300WB-BN2MM
codice articolo del costruttore | MG12300WB-BN2MM |
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Numero di parte futuro | FT-MG12300WB-BN2MM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MG12300WB-BN2MM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500A |
Potenza - Max | 1400W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 300A (Typ) |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 21nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | WB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG12300WB-BN2MM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MG12300WB-BN2MM-FT |
APTGF25H120T1G
Microsemi Corporation
APTGF180H60G
Microsemi Corporation
APTGF180DH60G
Microsemi Corporation
APTGF165A60D1G
Microsemi Corporation
APTGF150H120G
Microsemi Corporation
APTGF150DU120TG
Microsemi Corporation
APTGF150DA120TG
Microsemi Corporation
APTGF150A120TG
Microsemi Corporation
APTGF150A120T3WG
Microsemi Corporation
APTGF150A120T3AG
Microsemi Corporation
XC4010XL-09TQ144C
Xilinx Inc.
A1010B-PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX150-N3CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EPF6010AFC256-2
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SL110F1152I3
Intel
LCMXO2-256ZE-3UMG64I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation