casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MG12300D-BN3MM
codice articolo del costruttore | MG12300D-BN3MM |
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Numero di parte futuro | FT-MG12300D-BN3MM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MG12300D-BN3MM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 450A |
Potenza - Max | 1450W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 300A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 2mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 22nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D-3 Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | D3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG12300D-BN3MM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MG12300D-BN3MM-FT |
APTGF75DSK120TG
Microsemi Corporation
APTGF50X60T3G
Microsemi Corporation
APTGF50VDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGF50VDA120T3G
Microsemi Corporation
APTGF50TL60T3G
Microsemi Corporation
APTGF50H60T3G
Microsemi Corporation
APTGF50H60T2G
Microsemi Corporation
APTGF50H120TG
Microsemi Corporation
APTGF50DH60T1G
Microsemi Corporation
APTGF50DDA120T3G
Microsemi Corporation
A40MX02-2VQG80I
Microsemi Corporation
XA2S150E-6FT256I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3C40U484I7
Intel
5SGXEA7N1F40C2
Intel
10CX220YF672E5G
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
XC2V1500-4FFG896I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U4F45I3SGE2
Intel