casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MG12300D-BN2MM
codice articolo del costruttore | MG12300D-BN2MM |
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Numero di parte futuro | FT-MG12300D-BN2MM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MG12300D-BN2MM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 480A |
Potenza - Max | 1450W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 300A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 21nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D-3 Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | D3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG12300D-BN2MM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MG12300D-BN2MM-FT |
APTGF90DU60TG
Microsemi Corporation
APTGF90DH60T3G
Microsemi Corporation
APTGF90A60T1G
Microsemi Corporation
APTGF75H120TG
Microsemi Corporation
APTGF75DSK120TG
Microsemi Corporation
APTGF50X60T3G
Microsemi Corporation
APTGF50VDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGF50VDA120T3G
Microsemi Corporation
APTGF50TL60T3G
Microsemi Corporation
APTGF50H60T3G
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-N3FG676C
Xilinx Inc.
A3PE600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C7N
Intel
5SGXMA5K2F40C2N
Intel
10M04SCE144I7G
Intel
5SGXEABK3H40C2L
Intel
XC6SLX9-2CSG225C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation