casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MG1225H-XBN2MM
codice articolo del costruttore | MG1225H-XBN2MM |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MG1225H-XBN2MM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MG1225H-XBN2MM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Three Phase Inverter with Brake |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 25A |
Potenza - Max | 105W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 25A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 1.1nF @ 25V |
Ingresso | Three Phase Bridge Rectifier |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG1225H-XBN2MM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MG1225H-XBN2MM-FT |
APTGF50TL60T3G
Microsemi Corporation
APTGF50H60T3G
Microsemi Corporation
APTGF50H60T2G
Microsemi Corporation
APTGF50H120TG
Microsemi Corporation
APTGF50DH60T1G
Microsemi Corporation
APTGF50DDA120T3G
Microsemi Corporation
APTGF500U60D4G
Microsemi Corporation
APTGF350DU60G
Microsemi Corporation
APTGF350A60G
Microsemi Corporation
APTGF330DA60D3G
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP3E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400A-4FGG400C
Xilinx Inc.
XA6SLX9-2FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S250E-4PQG208C
Xilinx Inc.
P1AFS600-2FG484I
Microsemi Corporation
10M50DAF484C8G
Intel
5CEBA2F17C8N
Intel
10AX022E4F27I3SG
Intel
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation