casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MG12225WB-BN2MM
codice articolo del costruttore | MG12225WB-BN2MM |
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Numero di parte futuro | FT-MG12225WB-BN2MM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MG12225WB-BN2MM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 325A |
Potenza - Max | 1050W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 225A (Typ) |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 16nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | WB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG12225WB-BN2MM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MG12225WB-BN2MM-FT |
APTGF300A120D3G
Microsemi Corporation
APTGF25H120T1G
Microsemi Corporation
APTGF180H60G
Microsemi Corporation
APTGF180DH60G
Microsemi Corporation
APTGF165A60D1G
Microsemi Corporation
APTGF150H120G
Microsemi Corporation
APTGF150DU120TG
Microsemi Corporation
APTGF150DA120TG
Microsemi Corporation
APTGF150A120TG
Microsemi Corporation
APTGF150A120T3WG
Microsemi Corporation
AGL030V5-QNG68I
Microsemi Corporation
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG256I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
EP1K100FC256-3N
Intel
5SGXEA7H1F35C1N
Intel
LFE2M35E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35I2N
Intel