casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MG12200D-BA1MM
codice articolo del costruttore | MG12200D-BA1MM |
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Numero di parte futuro | FT-MG12200D-BA1MM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MG12200D-BA1MM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 300A |
Potenza - Max | 1400W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 200A (Typ) |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 14.9nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | D3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG12200D-BA1MM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MG12200D-BA1MM-FT |
APTGF90H60T3G
Microsemi Corporation
APTGF90DU60TG
Microsemi Corporation
APTGF90DH60T3G
Microsemi Corporation
APTGF90A60T1G
Microsemi Corporation
APTGF75H120TG
Microsemi Corporation
APTGF75DSK120TG
Microsemi Corporation
APTGF50X60T3G
Microsemi Corporation
APTGF50VDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGF50VDA120T3G
Microsemi Corporation
APTGF50TL60T3G
Microsemi Corporation
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-N3FGG676C
Xilinx Inc.
A42MX09-FVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA5K3F35C4N
Intel
XC7VX1140T-G2FLG1930E
Xilinx Inc.
XC2VP40-6FF1148C
Xilinx Inc.
LFXP15E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC3B7F23C8N
Intel
10AX057N4F40I3LG
Intel
5AGXMA7G4F35C4N
Intel