casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MG12150W-XN2MM
codice articolo del costruttore | MG12150W-XN2MM |
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Numero di parte futuro | FT-MG12150W-XN2MM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MG12150W-XN2MM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200A |
Potenza - Max | 625W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 150A (Typ) |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 10.5nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG12150W-XN2MM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MG12150W-XN2MM-FT |
APTGF30H60T3G
Microsemi Corporation
APTGF30H60T1G
Microsemi Corporation
APTGF300U120DG
Microsemi Corporation
APTGF300DA120G
Microsemi Corporation
APTGF300A120G
Microsemi Corporation
APTGF300A120D3G
Microsemi Corporation
APTGF25H120T1G
Microsemi Corporation
APTGF180H60G
Microsemi Corporation
APTGF180DH60G
Microsemi Corporation
APTGF165A60D1G
Microsemi Corporation
XC4006E-2TQ144C
Xilinx Inc.
A3P1000L-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40C2N
Intel
10AX022E3F29I2SG
Intel
A54SX32A-2TQ100I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E1F29I1HG
Intel
EP1SGX25FF1020C5
Intel