casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MG12150S-BN2MM
codice articolo del costruttore | MG12150S-BN2MM |
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Numero di parte futuro | FT-MG12150S-BN2MM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MG12150S-BN2MM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200A |
Potenza - Max | 625W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 150A (Typ) |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 10.5nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | S-3 Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | S3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG12150S-BN2MM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MG12150S-BN2MM-FT |
APTGF30TL601G
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APTGF30H60T3G
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APTGF30H60T1G
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APTGF300U120DG
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APTGF300DA120G
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APTGF300A120G
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APTGF300A120D3G
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APTGF25H120T1G
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APTGF180H60G
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APTGF180DH60G
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