casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MG12105S-BA1MM
codice articolo del costruttore | MG12105S-BA1MM |
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Numero di parte futuro | FT-MG12105S-BA1MM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MG12105S-BA1MM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150A |
Potenza - Max | 690W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 100A (Typ) |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 7.43nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | S-3 Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | S3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG12105S-BA1MM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MG12105S-BA1MM-FT |
APTGF350A60G
Microsemi Corporation
APTGF330DA60D3G
Microsemi Corporation
APTGF330A60D3G
Microsemi Corporation
APTGF30TL601G
Microsemi Corporation
APTGF30H60T3G
Microsemi Corporation
APTGF30H60T1G
Microsemi Corporation
APTGF300U120DG
Microsemi Corporation
APTGF300DA120G
Microsemi Corporation
APTGF300A120G
Microsemi Corporation
APTGF300A120D3G
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-N3FG676C
Xilinx Inc.
A3PE600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C7N
Intel
5SGXMA5K2F40C2N
Intel
10M04SCE144I7G
Intel
5SGXEABK3H40C2L
Intel
XC6SLX9-2CSG225C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation