casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MG06200S-BN4MM
codice articolo del costruttore | MG06200S-BN4MM |
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Numero di parte futuro | FT-MG06200S-BN4MM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MG06200S-BN4MM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 300A |
Potenza - Max | 600W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.45V @ 15V, 200A (Typ) |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 13nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | S-3 Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | S3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG06200S-BN4MM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MG06200S-BN4MM-FT |
APTGF50H60T2G
Microsemi Corporation
APTGF50H120TG
Microsemi Corporation
APTGF50DH60T1G
Microsemi Corporation
APTGF50DDA120T3G
Microsemi Corporation
APTGF500U60D4G
Microsemi Corporation
APTGF350DU60G
Microsemi Corporation
APTGF350A60G
Microsemi Corporation
APTGF330DA60D3G
Microsemi Corporation
APTGF330A60D3G
Microsemi Corporation
APTGF30TL601G
Microsemi Corporation
XC3S400-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-N3FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX08-1VQG100I
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C6N
Intel
5SGXEA7K3F40C2
Intel
5SGXEA9N2F45I3LN
Intel
LFE2-12SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EP1S60F1508C7
Intel