casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MG06200S-BN4MM
codice articolo del costruttore | MG06200S-BN4MM |
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Numero di parte futuro | FT-MG06200S-BN4MM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MG06200S-BN4MM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 300A |
Potenza - Max | 600W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.45V @ 15V, 200A (Typ) |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 13nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | S-3 Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | S3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG06200S-BN4MM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MG06200S-BN4MM-FT |
APTGF50H60T2G
Microsemi Corporation
APTGF50H120TG
Microsemi Corporation
APTGF50DH60T1G
Microsemi Corporation
APTGF50DDA120T3G
Microsemi Corporation
APTGF500U60D4G
Microsemi Corporation
APTGF350DU60G
Microsemi Corporation
APTGF350A60G
Microsemi Corporation
APTGF330DA60D3G
Microsemi Corporation
APTGF330A60D3G
Microsemi Corporation
APTGF30TL601G
Microsemi Corporation
XC6SLX75-3CSG484C
Xilinx Inc.
XC2S30-5VQG100I
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
EP1S20F484C7N
Intel
5SGSED8K3F40C2L
Intel
5SGXMA7N2F45I3N
Intel
EP4SE530F43C2ES
Intel
LCMXO2-7000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35I3L
Intel