casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MG06150S-BN4MM
codice articolo del costruttore | MG06150S-BN4MM |
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Numero di parte futuro | FT-MG06150S-BN4MM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MG06150S-BN4MM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 225A |
Potenza - Max | 500W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.45V @ 15V, 150A (Typ) |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 9.3nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | S-3 Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | S3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG06150S-BN4MM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MG06150S-BN4MM-FT |
APTGF50DDA120T3G
Microsemi Corporation
APTGF500U60D4G
Microsemi Corporation
APTGF350DU60G
Microsemi Corporation
APTGF350A60G
Microsemi Corporation
APTGF330DA60D3G
Microsemi Corporation
APTGF330A60D3G
Microsemi Corporation
APTGF30TL601G
Microsemi Corporation
APTGF30H60T3G
Microsemi Corporation
APTGF30H60T1G
Microsemi Corporation
APTGF300U120DG
Microsemi Corporation
XCV300E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AFS250-1FG256
Microsemi Corporation
A3PE1500-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C25U256C6
Intel
5AGXBA7D4F27C5N
Intel
5SGXEA7K2F35I2L
Intel
AX1000-2FGG676
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000UHC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX30CF19C6N
Intel