casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MF200C12F2-BP
codice articolo del costruttore | MF200C12F2-BP |
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Numero di parte futuro | FT-MF200C12F2-BP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MF200C12F2-BP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.8V @ 200A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 110ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | F2 Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | F2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MF200C12F2-BP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MF200C12F2-BP-FT |
JANTX1N6660
Microsemi Corporation
JANTX1N6511
Microsemi Corporation
FST8145
Microsemi Corporation
FST80150SM5C
Microsemi Corporation
FST153100
Microsemi Corporation
FST153100A
Microsemi Corporation
FST153100D
Microsemi Corporation
FST60100
Microsemi Corporation
FST60100A
Microsemi Corporation
163CMQ080
SMC Diode Solutions
AT40K05-2BQI
Microchip Technology
LFEC6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEB9R2H43I2L
Intel
XC7A200T-1FBG484C
Xilinx Inc.
XC7VX330T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
LFXP10E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29C6
Intel
EP2SGX90FF1508C3
Intel
EP1C20F400C8N
Intel