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codice articolo del costruttore | MEM2012V151R |
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Numero di parte futuro | FT-MEM2012V151R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MEM |
MEM2012V151R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Low Pass |
Ordine del filtro | 5th |
Tecnologia | LC (Pi) |
Numero di canali | 1 |
Centro / frequenza di taglio | 150MHz (Cutoff) |
Valore di attenuazione | 20dB @ 250MHz ~ 2GHz |
Resistenza - Canale (Ohm) | - |
attuale | 100mA |
Valori | - |
Protezione ESD | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
applicazioni | Data Lines for Mobile Devices |
Tensione: nominale | 10V |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric), 3 PC Pad |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MEM2012V151R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MEM2012V151R-FT |
4120R-601-250/500L
Bourns Inc.
4120R-601-470/101L
Bourns Inc.
VEMI45AA-HNH-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VEMI255A-HS3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VEMI85AA-HGK-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VEMI85AB-HGK-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VEMI65A6-FC2-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VEMI65AB-HCI-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VEMI65AA-HCI-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPD3F303DQDR
Texas Instruments
XC2S200E-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-1FG484
Microsemi Corporation
A1020B-2PLG68C
Microsemi Corporation
A1415A-1VQ100C
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
A54SX16P-2VQ100I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGTMC7K3F40C1N
Intel
5SGXEA7K1F35I2N
Intel
M1A3P1000L-1FGG144
Microsemi Corporation