casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / ME501606
codice articolo del costruttore | ME501606 |
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Numero di parte futuro | FT-ME501606 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ME501606 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.6kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 60A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 60A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10mA @ 1600V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ME501606 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ME501606-FT |
KBP304G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP305G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP305G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP306-BP
Micro Commercial Co
KBP306G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP306G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP307G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP307G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP308-BP
Micro Commercial Co
KBP310-BP
Micro Commercial Co
XC7A15T-L1FTG256I
Xilinx Inc.
XCKU11P-3FFVE1517E
Xilinx Inc.
M2GL010S-1FG484I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
LFE2M100E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34I2SGE2
Intel
5AGXFB1H4F35I5G
Intel
10AX027E1F27E1SG
Intel
EPF10K100EQC208-1X
Intel