casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MDMA35P1200TG
codice articolo del costruttore | MDMA35P1200TG |
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Numero di parte futuro | FT-MDMA35P1200TG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MDMA35P1200TG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.16V @ 35A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | TO-240AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-240AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDMA35P1200TG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MDMA35P1200TG-FT |
MBRB25H35CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H45CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H45CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H50CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H50CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H50CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H60CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H60CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3035CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3035CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel