casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MDMA200P1600SA
codice articolo del costruttore | MDMA200P1600SA |
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Numero di parte futuro | FT-MDMA200P1600SA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MDMA200P1600SA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.13V @ 200A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 1600V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDMA200P1600SA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MDMA200P1600SA-FT |
MBRB2535CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H35CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H45CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H45CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H50CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H50CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H50CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H60CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H60CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3035CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP2AGZ300FF35C4N
Intel