casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MDD312-20N1
codice articolo del costruttore | MDD312-20N1 |
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Numero di parte futuro | FT-MDD312-20N1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MDD312-20N1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 2000V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 310A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.32V @ 600A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 30mA @ 2000V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Y1-CU |
Pacchetto dispositivo fornitore | Y1-CU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDD312-20N1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MDD312-20N1-FT |
CMPD6001C BK
Central Semiconductor Corp
CMPD6001S BK
Central Semiconductor Corp
CMPD6263A BK
Central Semiconductor Corp
CMPD6263C BK
Central Semiconductor Corp
CMPD6263S BK
Central Semiconductor Corp
CMPSH-3CG BK
Central Semiconductor Corp
CMPSH-3S BK
Central Semiconductor Corp
CMSSH-3A BK
Central Semiconductor Corp
CMSSH-3C BK
Central Semiconductor Corp
CMSSH-3S BK
Central Semiconductor Corp
AT40K40LV-3BQC
Microchip Technology
A1225A-PQG100I
Microsemi Corporation
XC2V1000-5FG256I
Xilinx Inc.
APA600-FG256
Microsemi Corporation
EP1S25B672C7N
Intel
EP1S20F484C6N
Intel
EP4SGX290FH29C3N
Intel
XC2VP7-5FF672C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PLG84
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation