casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MD18180S-DKM2MM
codice articolo del costruttore | MD18180S-DKM2MM |
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Numero di parte futuro | FT-MD18180S-DKM2MM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MD18180S-DKM2MM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1800V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 180A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 600A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 1800V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | S-3 Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | S3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MD18180S-DKM2MM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MD18180S-DKM2MM-FT |
UFT14020D
Microsemi Corporation
UFT14140A
Microsemi Corporation
UFT14140D
Microsemi Corporation
UFT14260
Microsemi Corporation
UFT14260A
Microsemi Corporation
UFT14260D
Microsemi Corporation
UFT14280
Microsemi Corporation
UFT14280A
Microsemi Corporation
UFT14280D
Microsemi Corporation
CPT60145
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel