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codice articolo del costruttore | MD18160S-BM2MM |
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Numero di parte futuro | FT-MD18160S-BM2MM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MD18160S-BM2MM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1800V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 160A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 500A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 1800V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | S-3 Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | S3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MD18160S-BM2MM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MD18160S-BM2MM-FT |
FST16045D
Microsemi Corporation
FST16050
Microsemi Corporation
UFT14020A
Microsemi Corporation
UFT14020D
Microsemi Corporation
UFT14140A
Microsemi Corporation
UFT14140D
Microsemi Corporation
UFT14260
Microsemi Corporation
UFT14260A
Microsemi Corporation
UFT14260D
Microsemi Corporation
UFT14280
Microsemi Corporation
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
Intel
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
EP2AGX65DF25C4G
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
EP2AGX95EF35C6N
Intel