casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MD16160S-DKM2MM
codice articolo del costruttore | MD16160S-DKM2MM |
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Numero di parte futuro | FT-MD16160S-DKM2MM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MD16160S-DKM2MM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 160A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 500A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 1600V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | S-3 Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | S3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MD16160S-DKM2MM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MD16160S-DKM2MM-FT |
UFT14260D
Microsemi Corporation
UFT14280
Microsemi Corporation
UFT14280A
Microsemi Corporation
UFT14280D
Microsemi Corporation
CPT60145
Microsemi Corporation
CPT60045
Microsemi Corporation
CPT60035
Microsemi Corporation
CPT600150D
Microsemi Corporation
CPT600100
Microsemi Corporation
CPT50145
Microsemi Corporation
XCV150-5FG256I
Xilinx Inc.
XC7A75T-1FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A50T-1CSG325C
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG256I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SEEBH40I3L
Intel
5SGXMA5H2F35I2LN
Intel
LFEC3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C7N
Intel