casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica / MCT5211TVM
codice articolo del costruttore | MCT5211TVM |
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Numero di parte futuro | FT-MCT5211TVM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MCT5211TVM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 4170Vrms |
Rapporto di trasferimento corrente (min) | 150% @ 1.6mA |
Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | - |
Attiva / Disattiva ora (Tipo) | 14µs, 2.5µs |
Rise / Fall Time (Typ) | - |
Tipo di input | DC |
Tipo di uscita | Transistor with Base |
Tensione - Uscita (max) | 30V |
Corrente - Uscita / Canale | 150mA |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.25V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 50mA |
Vce Saturation (Max) | 400mV |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 100°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCT5211TVM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MCT5211TVM-FT |
H11G1SR2VM
ON Semiconductor
CNY17F2SR2M
ON Semiconductor
CNY174SR2VM
ON Semiconductor
CNY17F1SR2M
ON Semiconductor
4N37SR2VM
ON Semiconductor
H11A1SR2M
ON Semiconductor
MOC8106SR2M
ON Semiconductor
4N35SR2VM
ON Semiconductor
4N37SR2M
ON Semiconductor
CNY17F4SR2VM
ON Semiconductor
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-N3FGG676C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG900I
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256M
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-2VQG100
Microsemi Corporation
5SGSMD4E3H29I3N
Intel
A40MX04-3PL44I
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FFG676I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation