casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / MCR10ERTF4123
codice articolo del costruttore | MCR10ERTF4123 |
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Numero di parte futuro | FT-MCR10ERTF4123 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MCR |
MCR10ERTF4123 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Resistenza | 412 kOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 0.125W, 1/8W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | - |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.026" (0.65mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCR10ERTF4123 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MCR10ERTF4123-FT |
MCR10ERTF2743
Rohm Semiconductor
MCR10ERTF27R0
Rohm Semiconductor
MCR10ERTF2800
Rohm Semiconductor
MCR10ERTF2803
Rohm Semiconductor
MCR10ERTF2870
Rohm Semiconductor
MCR10ERTF2871
Rohm Semiconductor
MCR10ERTF2872
Rohm Semiconductor
MCR10ERTF2873
Rohm Semiconductor
MCR10ERTF28R0
Rohm Semiconductor
MCR10ERTF28R7
Rohm Semiconductor
LCMXO2-4000HE-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50AN-4FT256I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FG484I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256
Microsemi Corporation
M7AFS600-2FG256
Microsemi Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
Intel
5SGXMA5K3F35I3LN
Intel
M2GL060T-1FGG676
Microsemi Corporation
LFEC33E-4FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX150DF31I7N
Intel