casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Tiristori - SCR / MCR100-5 A1G
codice articolo del costruttore | MCR100-5 A1G |
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Numero di parte futuro | FT-MCR100-5 A1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MCR100-5 A1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltaggio - Off State | 300V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 800mV |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 200µA |
Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.7V |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | - |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | 800mA |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | 5mA |
Corrente - Off Stato (max) | 10µA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 10A @ 60Hz |
SCR Type | Sensitive Gate |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCR100-5 A1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MCR100-5 A1G-FT |
16TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10TTS08STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC3E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV600E-7FG900I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FG484I
Xilinx Inc.
AFS1500-1FG484
Microsemi Corporation
EP2AGX65DF25I5N
Intel
5SGXEABK2H40C3N
Intel
EP3SE110F1152C4L
Intel
XC6VLX240T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
5SGXEA3H2F35C2N
Intel