casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Tiristori - SCR / MCR100-5 A1G
codice articolo del costruttore | MCR100-5 A1G |
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Numero di parte futuro | FT-MCR100-5 A1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MCR100-5 A1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltaggio - Off State | 300V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 800mV |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 200µA |
Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.7V |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | - |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | 800mA |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | 5mA |
Corrente - Off Stato (max) | 10µA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 10A @ 60Hz |
SCR Type | Sensitive Gate |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCR100-5 A1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MCR100-5 A1G-FT |
16TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10TTS08STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
EX128-PTQ64
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CSG484C
Xilinx Inc.
XCV50E-6FG256I
Xilinx Inc.
A3P1000-1PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXEA9N3F45C3N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXMB9R1H43I2N
Intel
XC2VP40-5FF1148I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation