casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Tiristori - SCR / MCR100-4 A1G
codice articolo del costruttore | MCR100-4 A1G |
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Numero di parte futuro | FT-MCR100-4 A1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MCR100-4 A1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltaggio - Off State | 200V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 800mV |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 200µA |
Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.7V |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | - |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | 800mA |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | 5mA |
Corrente - Off Stato (max) | 10µA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 10A @ 60Hz |
SCR Type | Sensitive Gate |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCR100-4 A1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MCR100-4 A1G-FT |
16TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF6024ATC144-2N
Intel
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C5
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC5VLX220T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F672I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM49TR
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R4F40I3SGE2
Intel
EP1C12F324I7
Intel