casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / MCH6321-TL-E
codice articolo del costruttore | MCH6321-TL-E |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MCH6321-TL-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MCH6321-TL-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 83 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 375pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-MCPH |
Pacchetto / caso | 6-SMD, Flat Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCH6321-TL-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MCH6321-TL-E-FT |
NTMS4802NR2G
ON Semiconductor
NTMS4840NR2G
ON Semiconductor
NTMS4872NR2G
ON Semiconductor
NTMS4873NFR2G
ON Semiconductor
NTMS4917NR2G
ON Semiconductor
NTMS4935NR2G
ON Semiconductor
NTMS4N01R2G
ON Semiconductor
NTMS4P01R2
ON Semiconductor
NTMS5835NLR2G
ON Semiconductor
NTMS5838NLR2G
ON Semiconductor
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel