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codice articolo del costruttore | MCD95-16IO8B |
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Numero di parte futuro | FT-MCD95-16IO8B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MCD95-16IO8B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Struttura | Series Connection - SCR/Diode |
Numero di SCR, diodi | 1 SCR, 1 Diode |
Voltaggio - Off State | 1.6kV |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | 116A |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | 180A |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 2.5V |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 150mA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 2250A, 2400A |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | 200mA |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | TO-240AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCD95-16IO8B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MCD95-16IO8B-FT |
VSKTF200-12HJ
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKTF200-12HK
Vishay Semiconductor Diodes Division
MSS40-1200
STMicroelectronics
MSS50-1200
STMicroelectronics
MSS50-800
STMicroelectronics
M505012V
Sensata-Crydom
T9S0162003DH
Powerex Inc.
T9G0161203DH
Powerex Inc.
T820169004DH
Powerex Inc.
T7H8167504DN
Powerex Inc.
XCKU035-3FBVA676E
Xilinx Inc.
A3P060-VQ100T
Microsemi Corporation
5SGSED6N2F45C2N
Intel
XC6VCX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F23C8N
Intel
EP20K200EBC356-2N
Intel
EPF10K20RI240-4
Intel
EPF10K100EQC208-1X
Intel