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codice articolo del costruttore | MCD95-08IO8B |
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Numero di parte futuro | FT-MCD95-08IO8B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MCD95-08IO8B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Struttura | Series Connection - SCR/Diode |
Numero di SCR, diodi | 1 SCR, 1 Diode |
Voltaggio - Off State | 800V |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | 116A |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | 180A |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 2.5V |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 150mA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 2250A, 2400A |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | 200mA |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | TO-240AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCD95-08IO8B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MCD95-08IO8B-FT |
MCC26-16IO1B
IXYS
MCC255-18IO1
IXYS
MCC255-16IO1
IXYS
MCC250-18IO1
IXYS
MCC250-16IO1
IXYS
MCC250-14IO1
IXYS
MCC220-16IO1
IXYS
MCC200-18IO1
IXYS
MCD312-18IO1
IXYS
MCC255-12IO1
IXYS
XC3S1200E-4FGG320C
Xilinx Inc.
AX125-2FG256I
Microsemi Corporation
EPF8282ATC100-2N
Intel
EP3C16U256C8N
Intel
5SGXEA3K1F35C2N
Intel
A42MX09-PQG100M
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K3F40E2LG
Intel
EP2AGX190EF29C6N
Intel
EP4SGX230HF35I4
Intel