casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / MBS10 RCG
codice articolo del costruttore | MBS10 RCG |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MBS10 RCG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBS10 RCG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 800mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-BESOP (0.173", 4.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | MBS |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBS10 RCG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBS10 RCG-FT |
KBP10M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
TS6K80 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS10K60 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS4K60 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS6K60 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS10K40 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS10K40HD3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS10K60HD3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS4K40 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS4K40HD3G
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX02-1VQG80M
Microsemi Corporation
APA150-PQG208
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484C8
Intel
EP2AGZ225HF40I3N
Intel
5SGXEA9K2H40I3LN
Intel
5SGXEA3K2F35I3L
Intel
EP3SE80F1152I4L
Intel
AT6005-4JI
Microchip Technology
EP20K200EQC208-1
Intel